電磁鐵為能單晶爐提供均勻穩(wěn)定的直流電磁場(chǎng)，次等磁場(chǎng)的工作原理是在單晶爐體兩側(cè)加一個(gè)穩(wěn)定的橫向磁場(chǎng)，磁場(chǎng)所提供的磁力線會(huì)穿過爐桶、坩堝、融湯是單晶在恒定的磁場(chǎng)中生長(zhǎng)，抑制熔體的對(duì)流、液面震動(dòng)、溫度起伏增加熔體粘度同時(shí)能將氧含量均勻控制在(1—20)*1017原子數(shù)CM-3范圍內(nèi)，減少熔體對(duì)坩堝壁的沖刷（重力對(duì)流）可以改善單晶硅中氧、碳的含量，同時(shí)也可降低其他雜質(zhì)的含量，據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道和用戶反映使用磁場(chǎng)后可使拉速提高，從而提高了生產(chǎn)效率。
    磁場(chǎng)拉晶在單晶硅的工業(yè)研究中是一種十分有效的方法，效果如下所述
1.熔體溫度波動(dòng)小
    融體溫度變化穩(wěn)定起伏減小，能有效抑制由穩(wěn)定、重力引起的熱對(duì)流，使熔體液面震動(dòng)減小。
2.無生長(zhǎng)條紋
    因熔體對(duì)流使晶體生長(zhǎng)不規(guī)則，甚至造成晶體復(fù)溶，晶體產(chǎn)生條紋，雜質(zhì)分凝不規(guī)則。加磁場(chǎng)后，晶體模擬太空微重力條件下生長(zhǎng)，使晶體不產(chǎn)生生長(zhǎng)條紋。
3.氧含量可以得到有效控制
    晶體和坩堝的旋轉(zhuǎn)造成的強(qiáng)制對(duì)流在磁場(chǎng)中也會(huì)得到抑制，從而使氧含量得以控制。
4.減少晶體的二次缺陷
    在加熱工藝的熱循環(huán)過程中會(huì)引起氧的沉淀析出造成錯(cuò)位層錯(cuò)等缺陷，加磁場(chǎng)后晶體中含氧量降低且均勻分布，所以幾乎無上述缺陷。
5.晶體屈服應(yīng)力高、晶片彎曲小
    普通的硅單晶的氧含量使晶片屈服應(yīng)力減低，晶片在器件工藝過程中易發(fā)生彎曲，加磁場(chǎng)后，晶體中含氧量低且分布均勻，所以熱處理時(shí)無氧沉淀，又能吸收位錯(cuò)，晶片彎曲小。
6.電學(xué)特性好
    普通硅單晶熱處理后，壽命明顯減小，而磁場(chǎng)拉晶熱處理后壽命減小的概率很小，且分散性也小。